5月2日消息，引领全球芯片工艺发展的摩尔定律已经有50多年历史，最近十几年业内都在谈摩尔定律已死，认为芯片工艺很快会到物理极限，没法再微缩下去了。
不过比利时的欧洲微电子中心IMEC对此并没有那么悲观，他们最近公布的路线图显示现在的硅基工艺还能再战很多年，2046年干到0.2nm以下还是可行的。
根据他们公布的路线图，业界在2018年实现了7nm水平的N7工艺，直到3nm的N3工艺还都可以靠FinFET晶体管实现，去年2nm节点的N2工艺开始转向了GAA晶体管，使用的是NanoSheets路线，后续可以一直用到1.4nm级别的A14及1.0nm级别的A10工艺，时间点会到2031年。
2034年预计会进入0.7nm级别的A7工艺，这时候开始GAA晶体管结构也不行了，会上CFFET晶体管结构，这是互补场效应晶体管，会将N、P晶体管垂直堆叠，理论上可以将面积缩小一半，但散热挑战难度很大。
CFET晶体管会一直用到2040年的0.3nm级别的A3工艺，再往后还得换晶体管结构，这次会用上传闻已久的2DFET，也就是进入二维晶体时代，这被视为芯片工艺的终极材料，完美的原子级厚度，台积电、三星及Intel等公司都展示过这种黑科技，不过量产依然没有时间表。
2DFET晶体管结构能让芯片工艺一路狂奔到Sub-A2，也就是0.2nm以下，按现行规律命名应该是0.14nm了，不过现在还早，IMEC也就是提个PPT目标，名字都不好说呢，毕竟还有20年之久。
总之，IMEC给出了未来20年的芯片工艺路线图，但是进入到埃米级之后，每代工艺的提升都很难。
如果大家关注过台积电2nm之后的工艺，芯片面积微缩已经不明显了，密度提升个10%都很难，所以才搞出了很多不那么标准的工艺断代，前不久的技术论坛上甚至公布了A13、A12工艺，填补A14到A10之间的空白，后面再有A11工艺都不会让人意外。
此外，芯片工艺的升级也不只是看nm数字大小就能决定了，散热、供电、封装等方面也有极高的技术挑战，谁能解决这些问题也有可能在未来20年的工艺竞争中脱颖而出，超越个台积电、三星或者Intel也不是没可能。
希望未来20年的竞争中，中芯国际、华虹、晶合集成、芯联集成等大陆企业也能参与其中，不再是追赶者了。
