imec 构建全球首个 High NA EUV 光刻量子点量子比特器件

5 月 19 日消息，比利时校际微电子研究中心 imec 当地时间今日宣布，在本周举行的 ITF World 国际半导体技术展览会上，其发布了全球首个采用 High NA EUV 光刻技术制造的量子点量子比特器件，这也应该是首个 High NA EUV 工艺集成硬件器件。

imec 表示，与硅基标准计算机芯片生产工艺基本兼容的硅量子点自旋量子比特是一种有工业化量产潜力的量子比特方案。其将电子限制栅极层纳米结构中，以被捕获电子的自旋状态存储量子信息。

为了限制环境噪声对量子比特的干扰，各个栅极之间的间隙必须尽可能小，而 imec 借助 ASML 的 High NA EUV 光刻机实现了仅 6nm 的通道门-势垒门间隙。